온세미, 첨단 전력반도체 위한 SiC 생산 거점으로 체코 선정

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ⓒ온세미

온세미는 체코에 최첨단 수직 통합 실리콘 카바이드(SiC) 제조 시설을 설립한다고 20일 밝혔다.

해당 시설에서는 전기차, 재생 에너지, 인공지능(AI) 데이터센터와 같은 애플리케이션의 에너지 효율을 개선하는 데 필수적인 온세미의 지능형 전력 반도체를 생산하게 된다.

이는 에너지 변환과 관리를 최적화할 수 있는 첨단 전력 반도체에 대한 전례 없는 수요를 융합하고 대응하기 위해서라고 회사측은 설명했다.

하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “우리의 브라운필드 투자는 중부 유럽 공급망을 구축해 애플리케이션의 에너지 효율을 개선하는 혁신 기술에 대한 고객의 급증하는 수요에 더 나은 서비스를 제공할 수 있을 것”이며 “체코 정부와의 긴밀한 협력을 통해 탄소 배출량과 환경 영향을 크게 줄이려는 유럽연합의 야망을 달성하는 데 필수적인 지능형 전력 반도체 생산을 강화한다”고 말했다.

온세미는 향후 수 년에 걸쳐 최대 20억 달러의 브라운필드 투자를 통해 SiC 제조를 확장해 나갈 예정이다. 이번 투자는 실리콘 결정 성장, 실리콘 및 SiC 웨이퍼 제조(폴리싱 및 EPI), 실리콘 웨이퍼 팹 등 현재 체코에서 운영 중인 온세미의 사업을 기반으로 한다. 해당 시설은 현재 10억개 이상의 전력 디바이스를 포함하여 연간 300만개 이상의 웨이퍼를 생산할 수 있다.

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