‘HBM’ 날개 단 SK하이닉스 “차세대 제품 공급, 내년 계획까지 미리 논의 중”

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[아이뉴스24 권용삼 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 핵심 메모리인 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 적기에 공급하기 위해 내년 계획을 미리 논의하고 있다고 공개했다.

(왼쪽부터) 권언오 부사장(HBM PI), 김기태 부사장(HBM S&M), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 길덕신 부사장(소재개발), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 이재연 부사장(Global RTC). [사진=SK하이닉스]

30일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 최근 열린 SK하이닉스 신임 임원 좌담회에서 김기태 고대역폭메모리(HBM) 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 “인공지능(AI) 서비스가 다변화해도 지금의 폰노이만 방식(로직 반도체와 메모리가 분리된 형태)의 컴퓨팅 구조가 지속될 때까지는 메모리에 요구되는 최우선 스펙은 속도와 용량이 될 것”이라며 “HBM을 비롯해 AI 메모리 기술 우위를 유지하려면 전공정의 설계·소자·제품 경쟁력뿐만 아니라 후공정의 고단 적층 패키징 기술력도 계속 강화해야 한다”고 말했다.

이어 “현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다”며 “이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 설명했다.

앞서 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 5세대 제품인 ‘HBM3E’을 양산하며 시장을 주도하고 있다. 또 6세대 제품인 ‘HBM4’의 양산 시점도 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다.

아울러 이날 간담회에서 SK하이닉스가 AI 메모리 시장에서 선도적 입지를 다진 배경에 대해 신임 임원들은 장기간 끈질긴 연구개발과 투자, 고객과의 긴밀한 협업 등을 꼽았다. 권언오 HBM PI 부사장은 “시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다”며 “이를 바탕으로 AI 인프라에 필수인 HBM과 함께 다양한 분야에서 쓰일 고성능 메모리를 개발하는 등 기술력과 양산 노하우를 선제적으로 확보하면서 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다”고 회고했다.김기태 부사장은 “항상 고객과의 최접점에서 협업하고, 고객에 대한 높은 이해도를 기반으로 요구 사항을 충족하는 것이 SK하이닉스의 강점”이라며 “HBM을 적기에 공급하면서 대규모 양산 경험을 보유한 것도 높은 신뢰를 받는 이유”라고 강조했다.

이와 함께 분야 간 벽이 허물어지는 미래에 대비한 준비도 AI 시대를 이끌어가는 SK하이닉스의 경쟁력으로 조명됐다. 손호영 어드밴스드 패키징 개발 부사장은 “HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일”이라며 “앞으로 더 다양해질 시장 요구에 부응하려면 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종 간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다”고 제시했다.

이 밖에 이번 간담회에서 고용량 낸드 솔루션에 대한 내용도 언급됐다. 이동훈 부사장은 “AI에 필요한 대량의 데이터를 축적하기 위해서는 낸드 기반의 고용량 SSD 제품이 필수적”이라며 “SK하이닉스는 낸드의 초고층 데이터 저장 영역을 안정적으로 구현하는 ‘멀티 플러그’ 기술과 제품 크기를 줄여 생산성을 높여주는 ‘올 PUC’ 기술 등을 업계에서 가장 먼저 확보해 이 분야 경쟁력을 높이고 있다”고 전했다. 오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 “그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD 같은 낸드 설루션이 각광받기 시작했다”며 “여러 분야에서 신시장이 열리는 만큼 다양한 메모리 제품들이 주목받는 상황”이라고 언급했다.

이재연 글로벌 RTC 부사장은 “차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 ‘이머징 메모리’에 대한 관심도 커지고 있다”며 “특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받는다”고 소개했다.

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