SK하이닉스, 청주 반도체 팹 M15X에 5조3천억 투자…”HBM 수요 대응”

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건설비 포함 20조 이상 투자…내년 11월 준공

120조 규모 용인 클러스터 투자도 차질 없이 진행

SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도ⓒSK하이닉스 SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 급증하는 AI(인공지능) 반도체 수요에 선제 대응해, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파) 확장에 나선다.

회사는 24일 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다.

SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 활성화에 기여하는 한편, 반도체 강국 대한민국의 위상을 높이고자 한다”고 강조했다.

AI 시대가 본격화되면서 반도체 업계는 D램 시장이 중장기적인 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다. 연평균 60% 이상의 성장세가 예상되는 HBM과 함께 서버용 고용량 DDR5 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 회사는 전망하고 있다.

이런 흐름에서 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량을 확보하기 위한 캐파가 최소 2배 이상 요구되는 만큼 SK하이닉스는 D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라고 판단했다.

이에 따라 회사는 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터(이하 용인 클러스터)의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다. M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다.

TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 말한다.

M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다.

현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다. SK하이닉스의 생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 모두 완료됐고, 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성 역시 계획보다 빠르게 진행되고 있다. 회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.

SK하이닉스가 진행하는 국내 투자는 SK그룹 차원의 전체 국내 투자에서도 큰 축을 담당하고 있다. 2012년 SK그룹에 편입된 SK하이닉스는 2014년부터 총 46조원을 투자해 이천 M14를 시작으로 총 3개의 공장을 추가로 건설한다는 ‘미래비전’을 중심으로 국내 투자를 지속해왔다. 그 결과 회사는 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 완성했다.


이어 추진하는 M15X와 용인 클러스터 투자는 대한민국을 AI 반도체 강국으로 발돋움시키고 국가경제를 활성화하는 마중물이 될 것으로 회사는 기대하고 있다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것”이라며 “이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다”고 말했다.

SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X가 건설되는 청주캠퍼스 단지도ⓒSK하이닉스 SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X가 건설되는 청주캠퍼스 단지도ⓒSK하이닉스
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