젠슨 황, 삼성전자의 12단 ‘HBM3E 12H’실물 보더니 “승인”

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젠슨 황 엔비디아 최고경영자CEO가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리HBM인 HBM3E 12H에 친필 서명을 남긴 것으로 21일 알려졌다 사진한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처 연합뉴스
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 ‘HBM3E 12H’에 친필 서명을 남긴 것으로 21일 알려졌다. [사진=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처, 연합뉴스]

“JENSEN APPROVED(젠슨이 승인함)”

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’의 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭 메모리 ‘HBM3E 12H’에 친필로 ‘승인’ 서명을 남겼다.

21일 업계 소식에 따르면 한진만 삼성전자 부사장 (DS부문 미주총괄)은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에 부스를 방문한 황 CEO가 삼성전자 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다.

특히 황 CEO가 부스에 전시된 ‘HBM3E 12H(High·12단 적층)’ 제품에 남긴 서명을 찍은 사진도 함께 올렸다. 황 CEO는 ‘JENSEN APPROVED’이라고 적었다.

‘approve’는 ‘승인하다’는 의미다. 다만 실제 테스트의 통과를 의미하기보다 삼성의 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 기대감을 나타낸 것으로 보인다.

앞서 황 CEO는 지난 18일(현지시각) 새너제이에서 열린 미디어 간담회에서 “삼성전자의 HBM을 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다”면서 “HBM은 매우 복잡하고 어려운 기술이며 기술적인 기적과도 같다. 그들은 겸손하다”고 삼성전자를 치켜세우기도 했다.

업계에서는 황 CEO의 이러한 발언과 이번 행보를 두고 “삼성과 HBM 파트너십을 강화하려는게 아니겠냐”는 기대감의 목소리가 나오고 있다.

HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요한 것으로 알려져 있다.

삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 ‘HBM3E 12H’ 실물을 이번 전시에서 처음 공개했다. 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현했다.

삼성전자에 따르면 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 ‘HBM3 8H(4세대 HBM·8단 적층)’ 대비 50% 이상 개선됐다. 

예를들어 서버 시스템에 ‘HBM3E 12H’를 적용하면 전작인 ‘HBM3 8H’ 보다 평균 34%의 AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 추론의 경우 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 ‘HBM3E 12H’ 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 올 상반기 양산할 예정이다.

한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다”며 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 말했다.

앞서 경계현 삼성전자 사장(DS부문장)은 지난 20일 열린 주주총회에서 HBM이 한발 늦었다는 지적에 대해 “다시는 그런 일이 생기지 않도록 잘 준비하고 있다”며 “12단 적층 HBM을 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾겠다”고 밝혔다.

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